半導體制程來了解氣體的應(yīng)用，則薄膜制程會是相當大宗的使用部分，薄膜制程依照其成長方式之不同，可分金屬化濺鍍薄膜、CVD薄膜、磊晶，金屬化濺鍍(物理氣相沈積)主要應(yīng)用在金屬層成長，如鋁、銅等，其原理是利用氬氣電漿轟擊金屬靶材產(chǎn)生動量轉(zhuǎn)換，將金屬靶材表面之原子濺擊出來，并吸附在硅芯片表層，濺鍍使用的氬氣純度要求很高，若含有較多O2、N2及H2雜質(zhì)，會增加金屬層之電阻性，并產(chǎn)生硬化、空隙等缺陷，會影響到制程良率。